一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常整流二极管包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。
整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。
通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
快速恢复整流二极管属于整流二极管中的高频整流二极管，之所以称其为快速恢复二极管，这是因为普通整流二极管一般工作于低频（如市电频率为５０Ｈｚ），其工作频率低于３ｋＨｚ，当工作频率在几十至几百ｋＨｚ时，正反向电压变化的时间慢于恢复时间，普通整流二极管就不能正常实现单向导通了，这时就要用快速恢复整流二极管。
快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短，这一特点使其适合高频（如电视机中的行频、开关电源输出）整流。快速恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是，二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始，到反向电源恢复到最大反向电流的１０％所需要的时间，常用符号ｔｒｒ表示。普通快速恢复整流二极管的ｔｒｒ为几百纳秒（１０－９ｓ），超快速恢复二极管的ｔｒｒ一般为几十纳秒。ｔｒｒ越小的快速恢复二极管的工作频率越高。
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